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【日期】：2024-01-08 【关键词】：碳化硅;辐照行为;力学性能;分子动力学 【摘要】：碳化硅(SiC)材料对TRISO颗粒的安全性能有重要影响，因此有必要对SiC层的辐照行为和力学性能进行研究。本文采用分子动力学模拟对等轴状多晶和长轴状多晶两类SiC层进行辐照行为模拟，计算发现，SiC层的辐照肿胀程度和力学性能的理论值与实验值吻合较好。通过肿胀程度、密度、原子结构类型、点缺陷演化等参量详细考察了SiC层的辐照行为。结果表明，辐照过程中的非晶化存在晶体结构转化为中...
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