Si-C系

硅-碳二组分体系。由Si-C二组分体系相图知,体系中仅有SiC一个化合物生成。SiC的生成热为51.9kJ/mol,密度为3.2g/cm3,熔点(蒸发)在2450℃—2950C之间。由于SiC的熔点很高,硬度也很大,硅铁电炉内经常存在这种碳化硅。1725℃时在液态硅中可溶 ......    （本文共 164 字 , 1 张图）     [阅读本文] >>